在光伏電池制造過(guò)程中,隱裂、崩邊、硅落、缺角等微觀缺陷是導(dǎo)致組件效率下降、可靠性降低甚至客訴退貨的主要根源。如何在高速產(chǎn)線中精準(zhǔn)、穩(wěn)定地檢出這些缺陷,成為光伏企業(yè)提升良率、降低成本的關(guān)鍵。
勢(shì)創(chuàng)智能 推出的 隱裂檢測(cè)模組 SC-MC-W,正是專為 產(chǎn)線隱裂檢測(cè) 場(chǎng)景深度研發(fā)的高精度自動(dòng)化檢測(cè)設(shè)備。該模組創(chuàng)新集成了TFC方案、TFC+可見(jiàn)光方案、TFC+背光隱裂方案、明場(chǎng)背光隱裂方案、暗場(chǎng)背光隱裂方案等多種檢測(cè)技術(shù),融合NIR紅外成像與AI智能算法,真正實(shí)現(xiàn)從硅料切片到電池制程全環(huán)節(jié)的 光伏隱裂檢測(cè) 全覆蓋。
勢(shì)創(chuàng)智能隱裂檢測(cè)模組
不同工藝段、不同電池技術(shù)路線對(duì)檢測(cè)方案的要求各異。SC-MC-W支持明場(chǎng)/暗場(chǎng)隱裂方案、TFC系列方案一鍵切換,無(wú)需額外調(diào)試,可快速適配PERC、TOPCon、HJT、xBC等主流及新型電池技術(shù)。
硅料切片制造:精準(zhǔn)識(shí)別隱裂、破片、硅落、崩邊,保障來(lái)料質(zhì)量。
電池制程工序:覆蓋制絨、擴(kuò)散、鍍膜、刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié),采用暗場(chǎng)檢測(cè)方案,有效規(guī)避傳統(tǒng)方案成像不清、干擾大等問(wèn)題。
來(lái)料檢測(cè):對(duì)外購(gòu)硅片、半成品電池片進(jìn)行入庫(kù)質(zhì)檢,杜絕不合格原料流入產(chǎn)線。
高校/實(shí)驗(yàn)室:支持自定義檢測(cè)參數(shù),為缺陷機(jī)理研究、算法驗(yàn)證提供高精度成像數(shù)據(jù)。
產(chǎn)能 ≥6000片/小時(shí),單片檢測(cè)時(shí)間僅0.25~0.5秒,滿足大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)需求。
成像精度 ≥0.1mm/pixel,最小識(shí)別裂紋寬度>50μm,配合900~1700nm晶硅專用波長(zhǎng),可捕捉微小缺陷細(xì)節(jié)。
兼容尺寸:支持156×156mm ~ 210×210mm(半片/整片),厚度160~200μm,無(wú)需更換適配組件。
多分辨率可選:1k/4k像素NIR增強(qiáng)型InGaAs相機(jī)或4K線陣CMOS,曝光時(shí)間10μs~10s可調(diào)。
設(shè)備內(nèi)置自研AI檢測(cè)軟件,可自動(dòng)記錄缺陷位置、類型、尺寸,生成可追溯的檢測(cè)數(shù)據(jù)報(bào)表,便于工藝人員定位問(wèn)題根源、優(yōu)化前道工序。成像數(shù)據(jù)支持導(dǎo)出,兼容第三方分析軟件,滿足生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)與學(xué)術(shù)研究雙重需求。
光源采用半導(dǎo)體激光(波長(zhǎng)1100±5nm / 1300±5nm / 1450±5nm),光斑均勻性≥90%。
手動(dòng)對(duì)焦距離400~650mm,高清廣角鏡頭(16/25/45mm可選,視場(chǎng)角≥80°)。
工控計(jì)算機(jī)運(yùn)算,Windows平臺(tái)+標(biāo)配AI軟件,支持曝光時(shí)間、缺陷大小/長(zhǎng)度/灰度等參數(shù)自定義。
整機(jī)尺寸350×250×600mm,重量約20kg,單相AC220V供電,適應(yīng)15~50℃環(huán)境。
設(shè)備可清晰成像隱裂、崩邊、缺口、缺角、碎片、劃傷、硅脫/硅落、穿孔等多種缺陷,并提供明場(chǎng)、暗場(chǎng)、TFC等多種成像模式圖例,方便用戶直觀對(duì)比檢測(cè)效果。
結(jié)語(yǔ):勢(shì)創(chuàng)智能隱裂檢測(cè)模組SC-MC-W,以多方案靈活切換、高速高精度、AI智能溯源為核心優(yōu)勢(shì),為光伏企業(yè)提供真正的一站式產(chǎn)線隱裂檢測(cè)解決方案。如需了解更多技術(shù)細(xì)節(jié)或樣機(jī)測(cè)試,歡迎聯(lián)系勢(shì)創(chuàng)智能團(tuán)隊(duì)。
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